兼容性好，效率更高：

• 适用于PECVD和LPCVD工艺，效率更高，漏电流更低。

优异的边缘多晶硅去除效果：

• 显著改善边缘金字塔底座，有效去除边缘多晶硅。

更佳的形貌：

• 有效去除LPCVD和PECVD工艺中的正面绕镀层。

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